【芯资讯】Vishay官宣工厂重组，美光NAND闪存营收创新高

1.Vishay宣布重组计划，关闭三家制造工厂并裁员

据快科技消息，美国分立半导体和无源元件制造商Vishay Intertechnology（威世科技）宣布了重组计划，包括关闭三家制造工厂和裁员约800人。根据Vishay的官方声明，被关闭的工厂包括位于中国上海的二极管封装工厂，以及位于德国菲希特尔贝格和美国威斯康星州密尔沃基的两家电阻器工厂。

这些工厂的关闭预计2026年底完成，生产转移将于2025年第四季度开始。Vishay预计，此次重组将产生3800万至4200万美元的税前现金费用，主要是由于遣散费，其中大部分将在2024年第三季度发生。Vishay预计该计划全面实施后，年度成本节省至少2300万美元，立即节省约900万美元，从2025年第一季度开始再节省1200万美元。

2.美光2024财年营收251.11亿美元，大幅增长超6成

存储器原厂美光最新公布2024财年第四财季（截至8月29日）和全财年财报。

第四财季按照GAAP计算，美光营收77.5亿美元，上财季为68.1亿美元，去年同期为40.1亿美元；毛利率35.3%，上一季度为26.9%，去年同期亏损。净利润8.87亿美元，上一季度为3.32亿美元，去年同期亏损14.3亿美元。

全财年按照GAAP计算，美光营收251.1亿美元，前一财年为155.4亿美元；毛利率22.4 %，前一财年亏损为负；净利润7.78亿美元，前一财年净亏损58.33亿美元。

来源：Micron

美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，由于强劲的AI需求推动了公司数据中心DRAM和行业领先的HBM强劲增长，美光在第四财季实现了93%的收入同比增长。NAND收入记录是由数据中心SSD销售所引领，季度收入首次超过10亿美元。以美光历史上最佳的竞争定位进入2025财年，预计美光第一季度收入将创下历史新高，2025财年的盈利能力将大幅提高，收入将创纪录。

3.兆易创新公布GD32A7系列全新一代车规级MCU

兆易创新在25日宣布，重磅推出全新一代车规级MCU GD32A7系列。与上一代采用Arm Cortex-M4/M33的产品相比，GD32A7系列搭载了超高性能Arm Cortex-M7内核，提供GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x等多款型号供用户选择。

GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x系列车规级MCU分别支持单核、双核、单核锁步三种选项，主频160MHz，算力高达763 DMIPS，并配备了最高4MB片上Flash和512KB SRAM，支持双Flash BANK，可满足无缝OTA升级需求。芯片采用2.97-5.5V宽电压供电，能在-40℃~+125℃的工作温度范围内稳定运行，符合AEC-Q100 Grade1标准，工作寿命15年以上，为系统安全稳定运行筑牢硬件根基。

为满足多样化的车身、互联和底盘应用的需求，该系列产品集成了丰富的外设接口，包含6路SENT接口；8路CAN FD，12路LIN多路高速车用总线接口；以及支持AVB和TSN的1x10/100Mbps以太网接口；此外，还提供8路SPI、1路Quad SPI、2路I2C等接口。

4.思瑞浦推出17通道高精度电池管理产品TPB76016

思瑞浦3PEAK日前全新推出17通道高精度电池管理产品TPB76016，内置高精度基准，工作温度支持-40℃to+125℃，可广泛应用于动力电池、储能电池、以及其他消费类电池的BMS控制板。

TPB76016具有集成电压、电流、温度在内的多个保护功能，支持使用内部温度传感器和多达4个外部热敏电阻进行温度检测，集成可编程存储器供使用，集成二级化学熔断器驱动保护，内置均衡MOS，同时支持外接均衡管均衡，以及1Mbps SPI通信接口等特性。

5.SK海力士率先量产12层堆叠HBM3E

SK海力士在26日宣布，全球率先开始量产12层HBM3E，实现了现有HBM1产品中最大2的36GB容量。公司将在年内向客户提供此次产品，继今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E后，仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。

公司还堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为此，公司将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。

SK海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF5工艺应用到此次产品中，放热性能较前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

6.英飞凌扩展OptiMOS 6 MOSFET产品组合

英飞凌通过新的135 V和150 V产品系列，扩展了其OptiMOS 6 MOSFET产品组合。这些器件旨在满足驱动器和开关模式电源（SMPS）应用的要求，并补充最近发布的OptiMOS 6 120 V MOSFET。

与上一代（OptiMOS 5 150 V MOSFET）相比，新系列的导通电阻R DS（on）降低了50%，而FOM g降低了20%。凭借极低的R DS（on）、改进的开关性能和出色的EMI性能，这两个新系列都提供了无与伦比的效率、功率密度和可靠性。更快、更柔软的体二极管可降低高达59%的Q rr，减少过冲和振铃。

OptiMOS 6 135 V和150 V MOSFET有各种封装可供选择，包括TO-220、D 2PAK 3针、D 2PAK7针、TOLL、TOLG、TOLT、SuperSO8 5x6和PQFN 3.3x3.3。

7.ST公布第四代SiC MOSFET技术平台，面向电动车牵引逆变器

意法半导体（ST）日前宣布，正在推出其第四代碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术在能效、功率密度和鲁棒性方面带来了新的基准。在满足汽车和工业市场需求的同时，新技术特别针对牵引逆变器进行了优化，牵引逆变器是电动汽车动力系统的关键部件。作为对创新的承诺，ST计划在2027年之前引入更先进的SiC技术创新。

ST已完成第四代SiC技术平台750V级的资格认证，预计将于2025年第一季度完成1200V级的资质认证。标称额定电压为750V和1200V的设备将投入商业使用，使设计人员能够解决从标准交流线电压到高压电动汽车电池和充电器的应用。

8.创意电子3纳米HBM3E内存控制器与PHY IP获得应用

据IT之家消息，创意电子GUC宣布其3nm工艺HBM3E内存控制器与PHY IP已获业界重要CSP云服务提供商和多家HPC解决方案供应商采用，该ASIC预计将于今年流片，支持9.2Gbps HBM3E内存。创意电子是重要ASIC设计服务厂商之一，其最大股东（持股35%）和唯一晶圆代工厂商皆是台积电。

创意电子的HBM3E IP已通过台积电N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P制程的验证，与所有主流HBM3厂商产品兼容，且在CoWoS-S及CoWoS-R封装上都进行了流片验证。除HBM3E以外，创意电子也积极与美光等HBM内存供应商合作，为下一代AI ASIC开发HBM4 IP。