1.台积电2纳米明年量产，吸引芯片头部客户据中国台湾电子时报报道，半导体供应链传出，台积电新竹宝山Fab20 P1厂将于4月进行设备安装工程，为GAA架构量产暖身，预计宝山P1、P2及高雄三...

尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智...

1.部分代工厂成熟制程报价续降据科创板日报引述中国台湾经济日报，IC设计厂商透露，本季部分晶圆代工厂成熟制程报价持续下调，幅度约为4%至6%，第二季度可能再降价，使得上半年累计降幅达一成左右...

推动智算芯片全面兼容国产训练框架，进一步提升智算中心算力调度能力，推动智算芯片软硬件实现高质量自主可控。

据称，大陆集团已出售与汽车相关的多个业务部门，包括ADAS和显示器。据悉，三星电子的电子业务子公司哈曼公司对收购大陆电子业务表示积极看法，认为内部需要加强在ADAS领域的竞争力。

1.SEMI：多项应用促进300毫米晶圆厂投资规模扩大据国际半导体产业协会（SEMI）发布的报告，由于存储器市场复苏以及对高性能计算和汽车应用的强劲需求，全球前端设施的300毫米晶圆厂设备支...

3月19日上午，英伟达2024 GTC AI大会，黄仁勋发布了英伟达最新一代AI芯片Blackwell GPU，AI算力能力较上代提升30倍！

WSE-3的工艺制程升级为台积电5nm工艺，该晶体管数量增加达到惊人的4万亿个，与此同时，AI核心数量亦进一步增加到90万个，缓存容量达到44GB，外部搭配内存容量可选1.5TB、12TB、1200TB以满足不同规模的应用需求。

中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。

据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。