1.台积电2纳米明年量产,吸引芯片头部客户
据中国台湾电子时报报道,半导体供应链传出,台积电新竹宝山Fab20 P1厂将于4月进行设备安装工程,为GAA架构量产暖身,预计宝山P1、P2及高雄三座先进制程晶圆厂均于2025年量产,并吸引苹果、英伟达、AMD及高通等客户争抢产能。
三星虽号称弯道超车发展GAA架构,但外传良率不佳以至于无法打开市场。台积电2纳米4月加速进机,一为争取先进制程良率爬坡时间,另也将对三星、英特尔持续造成威胁,并拉开优势。供应链透露,台积电已准备P1装机事宜,预计第四季试产、明年第二季量产;设备业者指出,日前已调派人手、并事先进行教育训练,因应台积客制化需求。
2.三星3纳米良率翻三倍,仍落后台积电
据快科技引述相关报道,有消息人士称,三星电子的3纳米GAA工艺的良率已经实现了三倍的提高,从先前的10%-20%上升至30%-60%之间,但这仍然落后于台积电。此外台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片,这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。
一份报告指出,要重新赢得像高通等先前的客户认可,三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。本月初韩媒体报道,三星电子已经通知客户和合作伙伴,自今年年初起,将第二代3纳米工艺改名为2纳米工艺。
3.英特尔将斥资1000亿美元在美扩张,瞄准AI芯片
据外媒SemiMedia消息,在美国政府宣布195亿美元的直接资金和贷款后,英特尔宣布投资1000亿美元在美国四个州建造和扩建工厂,并希望获得250亿美元的额外税收抵免。
首席执行官Pat Gelsinger 在3月19日表示,英特尔五年支出计划的核心是将俄亥俄州哥伦布市附近的空地改造成世界上最大的AI芯片生产基地,最快将于2027年开始。1000亿美元计划中约30%将用于劳动力、管道和混凝土等建筑成本。剩余资金将用于从ASML、东京电子、应用材料和KLA等公司购买芯片设备。
4.SK海力士将投资120万亿韩元建设4座晶圆厂
据外媒SemiMedia引述相关报道,SK海力士将于2025年3月开始在韩国京畿道永仁半导体集群建造半导体晶圆厂。直到2046年,将投资超过120万亿韩元(约892.45亿美元)建设总共4个晶圆厂。
SK海力士早在2019年就宣布了这一计划,但由于许可问题而被推迟。第一家晶圆厂计划于明年3月开工建设,将成为世界上最大的三层晶圆厂。此外,韩国政府将在6月底之前宣布加快AI芯片出口和加强半导体设施的战略,尽一切努力确保韩国公司在全球半导体制造领域不落后,并积极支持高带宽内存HBM芯片制造。
5.DRAM合约价预计二季度涨幅收敛
据中国台湾工商时报消息,DRAM库存尚未降至健康水位,加上损益改善引导原厂稼动率拉升,在第二季终端需求仍不明之下, TrendForce集邦科技预估,第二季各规格DRAM合约价格将从双位数收敛至个位数,季涨幅约3%-8%。
6.戴尔全年PC销量下滑20%,启动裁员
据快科技引述外媒消息,戴尔科技在一份文件中表示,作为更广泛降低成本计划的一部分,公司已实施裁员措施,并且还将限制外部招聘。文件显示,截至2024年2月2日,公司员工总数已减少至近12万人,较一年前的约12.6万人有所下降。
在过去的两年,由于市场饱和和消费者购买力下降,PC行业一直面临挑战,市场调查机构Counterpoint报告显示,2023年全年戴尔PC出货量暴跌了20%。同时戴尔本月早些时候公布的第四季度财报显示,公司营收为223亿美元,同比下降11%。
7.iPhone国内2月出货暴跌33%,压力还将继续
据快科技引述外媒消息,今年2月iPhone在中国的出货量较去年同期下降了惊人的33%,这也是苹果iPhone销量连续两个月出现下滑趋势,据官方数据,苹果1月份的总出货量约为550万部,较上年减少约39%。
然而,这仅仅是苹果在华销售放缓的冰山一角,未来几个月,随着中国市场竞争的进一步加剧,尤其是在人工智能手机领域的快速发展,苹果面临的销售压力或将进一步加大。
8.意法半导体推出100V沟槽肖特基整流二极管系列
意法半导体(ST)日前推出了新款100V沟槽肖特基整流二极管,可提高在高开关频率下运行的功率转换器的效率。新系列有28种变体,8种额定电流从1A到15A,多种表面安装封装,涵盖工业级和汽车级。
二极管在生产中经过100%雪崩测试,以确保器件的稳健性和系统可靠性,新品具有DPAK、SOD123平面、SOD128平面、SMB平面和PSMC(TO227A)表面安装封装。新品目前都处于量产,SMD123平面的1A STPST1H100ZF的预算定价起价为0.107美元。
9.东芝推出适用于电机控制的Arm Cortex-M4微控制器
东芝电子元件及存储装置公司日前宣布,采用Cortex-M4内核并搭载FPU的TXZ+族高级系列32位微控制器的M4K系列新增8款新产品,闪存容量达512 KB/1 MB,同时提供4种不同的封装类型。
东芝新推出的M4K产品将现有产品的最大代码闪存容量从256 KB扩充至512 KB及1 MB,RAM容量也从24 KB扩充至64 KB。在容量提升的同时,其他特性也得以保留,包括运行频率高达160 MHz的Cortex-M4内核、集成代码闪存以及32 KB数据闪存并支持10万次的编程/擦写周期。新产品可应用在消费类产品、工业设备的电机和变频控制、工业设备等物联网应用等领域。
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