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电阻电容 2024年03月19日阅读(78) 评论(0)

中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。