【芯资讯】AI应用促铜箔基板起涨、台积电先进工艺及封装再传涨价

1.分析师：中低端CCL因产能紧张已普遍涨价接近10%

据科创板日报消息，知名分析师郭明錤称，最新调查显示，目前M4以下的铜箔基板（CCL）品项已普遍涨价，平均涨幅约接近10%；M4以上的高阶CCL目前没有涨价迹象。

从供应端看，AI服务器需求在过去一年暴增，促使CCL厂商升级产线以应付高规 （M4以上）的需求，间接导致M4以下的供应减少。

从需求端看，以高通为首的AI PC主板材料升级，单价提升15%-20%。一般服务器需求自今年下半年开始复苏，亦带动中低端CCL需求。中低阶CCL涨价的另一原因为上游材料上涨，涨价后已将原物料成本完全转嫁给客户，获利将显著提升。

2.台积电传再涨价，影响苹果、英伟达等七大客户

据快科技消息，产业链的爆料显示，3纳米代工价涨幅或在5%以上，先进封装明年年度报价也有10%-20%涨幅。按照消息人士的说法，台积电3纳米获苹果、英伟达等七大客户产能全包，供不应求，预期订单满至2026年。

之前，天风国际证券分析师郭明錤发布报告指出，高通下半年量产的SM8750 （骁龙8 Gen 4）报价约较目前的旗舰芯片SM8650（骁龙 8 Gen 3）高25%-30%至190-200美元。涨价原因主要在于采用了台积电最新且成本较高的N3E制程。

3.HBM内存供不应求，挤占DDR5涨价

据科创板日报引述中国台湾电子时报，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。

但HBM排挤太多DRAM产能，势必推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到年底前还有10%-20%涨幅，但若价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。

4.三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片，明年量产

据快科技消息，三星宣布与EDA大厂Synposys（新思科技）合作优化2nm工艺。据悉，Synopsys的AI驱动设计技术协同优化（DTCO）解决方案优化了三星2nm工艺，改善了面积、性能和能效。

按照计划，三星在明年量产2nm芯片。据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。

之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。

5.铠侠提高两座工厂产能至满载，并获新贷款

据SemiMedia引述相关报道，鉴于市场复苏，日本NAND闪存原厂铠侠在时隔20个月后停止了减产，并于本月将其位于三重县四日市晶圆厂和岩手县北上市晶圆厂的NAND闪存生产线的开工率提高到100%。2022年10月，铠侠宣布减产30%以上，以应对智能手机产品需求的低迷。

以三井住友银行、三菱日联银行和瑞穗银行为首的一批贷款机构已同意为即将到期的5400亿日元贷款再融资，并提供2100亿日元的新信贷额度。银行还将帮助提供用最新设备更换过时设备所需的资金。