投资超660亿元的12英寸晶圆新厂启用

力积电表示，铜锣新厂从2021年3月动土兴建，耗时约3年落成启用。总投资额超3000亿元新台币（约合人民币660亿元），主要生产55、40、28纳米制程的芯片，预计月产能可达5万片。

据力积电消息，铜锣新厂已完成首批设备安装，并投入试产，将成为推进制程技术、争取大型国际客户订单的主力平台。未来还计划在同一厂区内增建第二期厂房以应对业务增长。

此外，力积电与日本SBI控股株式会社计划携手在日本宫城县兴建晶圆厂。SBI 会长表示，该座宫城晶圆厂投产时间从原先规划的2027年提前至2026年。据悉，该座晶圆厂预定会在2024年内动工。

上述宫城晶圆厂将分为2期工程，第1期工程月产能为1万片（以12英寸硅晶圆换算），将生产40纳米、55纳米晶圆，第2期工程预计2029年投产，除上述40纳米、55纳米产品之外，也将生产28纳米以及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技术的芯片，月产能将达4万片。

行业今年迎晶圆厂投资高峰，日本成投资热门地

近两年，全球晶圆厂投资热度只增不减，据全球半导体观察不完全统计，近期，包括台积电、Rapidus、瑞萨电子、力积电、台积电、联电、三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据等都已陆续宣布扩产动态，其中多家新厂集中于日本。行业人士表示，日本的芯片制造布局已逐步涵盖从成熟制程到先进工艺的进阶路线。

据悉，台积电位于日本熊本县的工厂已经在今年2月下旬正式开业，该工厂采用22/28纳米以及12/16纳米制程技术，计划于年底开始量产。同时，台积电将与索尼、电装、丰田汽车等合作伙伴共同增资其日本公司JASM，并于年内开工建设日本第二工厂，目标是2027年实现量产，并可望将制程推进至6纳米。此外，能够生产3纳米芯片的“三厂”也在考虑之中。前行业消息显示，日本政府为JASM晶圆厂的开发提供4760亿日元（32亿美元）的补贴，占该设施支出86亿美元的大部分。

Rapidus则是日本当红新星。日本经济产业省近日宣布，2024年度将向Rapidus最多提供5900亿日元补贴。该公司于2022年在日本政府支持下由8家相关企业联合设立，目标是在2025年启动2纳米逻辑芯片试产，2027年大规模量产。值得注意的是，过去日本政府对Rapidus的支持主要集中在半导体制造的“前工序”，而今年将首次对“后工序”技术开发提供补贴，规模约为535亿日元。

铠侠（Kioxia）和西部数据则已在日本三重县四日市建设了一座12英寸合资工厂，今年2月消息，日本向铠侠和西部数据提供2429亿日元（约合16.4亿美元）补贴，帮助铠侠和西部数据在三重县和岩手县扩大存储芯片生产。

瑞萨电子则于4月11日宣布，为增加IGBT等功率半导体产品产能正式重启此前已经关闭的位于日本山梨县的甲府工厂。该公司承诺斥资900亿日元在现有工厂安装一条12英寸硅片生产线。据悉，计划于2024年实现量产，瑞萨电子预计将获得日本经济产业省的支持。

此前，东芝电子元件及存储装置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，将在日本石川县的主要分立器件生产基地（加贺东芝电子公司）打造一座新的12英寸晶圆制造设施，以扩大功率半导体产能，该工厂第一阶段生产计划将今年内启动。据悉，东芝和罗姆半导体达成一项协议，根据协议，东芝能美功率半导体工厂将开始与罗姆在宫崎县国富市新开发的碳化硅（SiC）功率半导体工厂进行生产整合。消息人士称，此次合作预计将获得政府补贴，相当于该项目投资的三分之一。

2025年后，美光位于日本的广岛工厂也将开始生产最先进产品“1γ(Gamma)”DRAM，且美光计划在广岛工厂生产生成式AI用高宽频存储器(HBM)。