韩国存储双雄财报出炉，业绩为何又创历史新高？

韩国存储芯片巨头SK海力士日前正式公布了今年第二季度业绩报告，数据显示，公司结合并收入为16.4233万亿韩元，营业利润达到了5.47万亿韩元(约合人民币263.5亿元)，是继半导体超级繁荣期的2018年第二季度(5.5739万亿韩元)、第三季度(6.4724万亿韩元)之后，时隔6年再次创下了5万亿韩元水平的业绩。

SK海力士2024年第二季度业绩报告

对比之下，SK海力士2023年第二季度的营业利润亏损达到2.88万亿韩元，净利润亏损达到2.99万亿韩元，季度营业亏损率为39%，净亏损率达到41%。

此前外界普遍认为，“高带宽存储器(HBM)是帮助SK海力士走出困境的重要原因之一”。花旗集团(Citigroup)甚至因此将SK海力士的目标价提升到了350,000韩元，比当前股价高出50%以上，这也是目前看到的华尔街最乐观的预期。

而事实也的确如此。财报显示，在DRAM方面，SK海力士从今年3月份开始量产及供应的HBM3E和服务器DRAM等高附加值产品的销售比重有所扩大。特别是HBM的销售额环比增长80%以上，同比增长250%以上，带动了公司的业绩改善。

其实，从SK海力士今年第一季度的财报里我们已经能够十分清楚的看到这种趋势。凭借HBM等面向AI的存储器技术领导力，SK海力士实现了营业利润环比增长734%的业绩。具体而言，SK海力士在2024 Q1收入为12.4296万亿韩元，营业利润为2.886万亿韩元，净利润为1.917万亿韩元，营业利润率为23%，净利润率为15%。第一季度收入创同期历史新高，营业利润创同期历史第二高。

另一家存储巨头三星电子同样依靠HBM获得了惊人的财务表现。在2024年第二季度的业绩报告指引中，三星电子的营业利润同比飙升了1452%，达到10.4万亿韩元(约合人民币551亿元)；销售额74万亿韩元，同比增长23.31%。这些数据不仅显著超过了市场分析师的普遍预期，也标志着自2022年下半年以来三星电子的利润状况出现了显著好转。

尽管没有公布半导体部门的具体销售额，但多家券商给出的预测基本都维持在27-28.8万亿韩元之间。如果是后者的话，这意味着，今年第二季度，三星电子半导体部门销售额有望超过台积电的6735.1亿新台币(约合28.5万亿韩元)。另据行业消息，三星电子考虑在三季度将动态随机存储器(DRAM)和NAND的价格继续上调15-20%，如果属实，三星电子下半年的业绩也将有所改善。

在此带动下，2024年上半年，韩国半导体芯片出口额实现了显著增长，达到了658.3亿美元，同比增长了49.9%。存储芯片的出口表现尤为突出，同比大增88.7%，这主要得益于固定交易价格上涨以及HBM等产品的出口增加，特别是SK海力士和三星电子作为HBM市场的主导者，其在HBM市场的份额和影响力进一步提升了韩国在全球半导体市场中的地位。

以高带宽内存(HBM、HBM2、HBM2E、HBM3)为代表的超带宽解决方案之所以越来越受到重视，一方面是因为随着人工智能、数据中心、云计算需求的暴涨，AI服务器需要高算力和大带宽来处理海量并行数据，HBM通过提供高带宽特性，使得AI模型训练和推理过程更快更高效。

另一方面，传统数据中心“CPU+内存(如DDR4)+存储(如SSD)”的数据处理方式，正在走进“异构数据中心”时代，即通过部署CPU、GPU、DPU、FPGA和ASIC等各种组件，分别侧重于提供特定功能或者处理不同类型和格式的数据，从而显著提高整个系统的速度和性能。而HBM通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型/更多的参数留在离核心计算更近的地方，能够更有效减少内存和存储解决方案带来的延迟。

TrendForce的调研显示，HBM现在几乎已成为高端AI服务器GPU的标准配置，2023年全球HBM的年需求量增长约60%，即从2022年的1.81亿GB增加到2.9亿GB，2024年预计还将再成长30%。高盛方面预测称，全球HBM市场将从2022年的23亿美元猛增至2026年的230亿美元，复合年增长率达77%。

另据SemiAnalysis披露，价格方面，以HBM3为例，其价格大约是标准DRAM芯片的5-6倍，预计到2026年，HBM占全球内存收入的比例将从当前的不到5%增长到20%以上。这就是为什么英伟达、AMD、微软、亚马逊等芯片大厂排队抢货，甚至溢价也可考虑的原因。而且这样的市场表现对于提高存储半导体公司的业绩也有积极的影响。

目前，谷歌、亚马逊、微软等涉足云服务器业务的全球科技巨头越来越多地采用HBM产品。芯片厂商中，NVIDIA A100/A800、AMD MI200芯片均采用HBM2E；NVIDIA H100和AMD MI300X采用了SK海力士数据速率为5.6GT/s的12层24GB HBM3；SK海力士、三星和美光三家存储芯片大厂则分别以50%、40%、10%的比例瓜分了全球HBM市场份额。

SK海力士和美光科技此前已经在不同场合表示，两家公司“2025年以前的HBM产能已经售罄”；三星电子则在2024年Q1财报会议上强调：“相比2023年，2024年HBM的供应将增加三倍。到2025年，这一数字将是2024年的两倍甚至更多。”

大摩此前就预计，AI快速发展将导致DRAM和HBM市场供需失衡，预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

为此，SK海力士决定在韩国忠清北道清州市投资建设新的DRAM生产基地M15X，目标是在2025年底前启用。同时，该公司还决定在美国印第安纳州西拉斐特建设一个先进的AI内存封装生产设施，该设施总投资约38.7亿美元，从2028年开始大规模生产包括HBM在内的下一代AI内存产品。

通过这项投资，SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片，SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。

目前，SK海力士正在向英伟达供应8 层堆叠HBM3E，其12层堆叠HBM3E产品的量产时间有望从明年提前至今年第三季度。

与此同时，SK海力士的母公司SK集团还宣布，未来三年，SK海力士将投资103万亿韩元(约合746亿美元)加强芯片业务，重点将放在人工智能。据悉，该笔投资是SK海力士目前正在韩国京畿道建设的900亿美元的龙仁半导体集群的“大型晶圆厂综合体”的一部分。

“随着AI时代的临近，预计未来2-3年，集团在HBM等与AI生态系统相关的业务领域将需要历史上最大的投资。”SK一位官员表示。

三星电子在HBM方面的最新进展，一是计划在年内推出HBM 3D封装服务，并考虑在明年推出的HBM4芯片上采用这种封装方式；二是在组织架构上做出一系列调整，包括：2022年12月，在半导体业务部门内成立了先进封装(AVP)业务团队，以加强先进封装技术，并在各业务部门之间创造协同效应；2024年7月，成立“HBM开发团队”，总揽 HBM3E和HBM4内存的开发工作；重组设备技术研究所，强化半导体工艺及设备的技术支撑能力，为半导体工艺效率的提升提供更广泛的技术支持。据当地券商KB Securities称，2024年，HBM3将占三星芯片销售收入的18%。

今年2月，三星成功发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。据透露，三星已于第二季度开始量产这款第五代 HBM产品，目前正在向特定客户供货。

美光DRAM四年路线图则显示，其HBM3E预计将在2024年第三季度/第四季度开始出货，正在开发的HBMNext内存产品将为每个堆栈提供1.5TB/s – 2+TB/s的带宽，容量范围为36GB至64GB，功耗也更具优势。此外，美光科技则还计划投入6000亿-8000亿日圆(约合38-51亿美元)扩张位于日本广岛的产线，预计2026年初动工，并安装EUV设备。

另据日经亚洲的消息，美光正在其位于美国爱达荷州博伊西的总部扩建与HBM相关的研发生产设施，包括技术验证产线和量产线，并有意愿在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。根据规划，美光科技计划在2025年将HBM市占率提高两倍以上，达到20%左右。

于2013年推出的HBM技术，是一种高性能3D堆栈DRAM构架，数据传输速率大概可以达到1Gbps左右。此后，该技术标准差不多每隔2-3年就会更新一代，使得第二代(HBM2)、第三代(HBM2E)、第四代(HBM3)和第五代(HBM3E)产品的带宽和最高数据传输速率记录被不断刷新。鉴于同期内其他产品的带宽仅增加两到三倍，我们有理由将HBM产品的快速发展归功于存储器制造商之间激烈的竞争。

近日，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会宣布，HBM4标准即将定稿。该标准在带宽、功耗和数据处理速率方面均有显著提升，以适应生成式AI、高性能计算等处理大型数据集的需求。

具体而言，相比较HBM3，HBM4的每个堆栈通道数增加了一倍，物理尺寸更大。意味着在相同物理尺寸下，HBM4能够提供更高的数据传输带宽和更好的并行处理能力。同时，该机构为了支持设备兼容性，主控可以同时处理HBM3和HBM4。

在企业动态方面，SK海力士正加强与台积电及英伟达的合作伙伴关系，计划共同开发下一代HBM解决方案。SK海力士将采用台积电的先进逻辑工艺制造HBM4的基板芯片，12层HBM4计划于2025年下半年推出，16层版本预计将于2026年投入量产。此外，SK海力士在HBM4技术上实现了超过20%的功耗降低。

三星计划将1c DRAM技术用于12层堆叠HBM4和16层堆叠HBM4 产品，第一条1c DRAM量产线预计将于2024年底建成，总产能约为每月3000片。加之前文提及的HBM 3D封装技术，其内存容量和带宽都将得到极大提升。

根据Trendforce去年年底分享的路线图预计，首批HBM4样品预计每堆栈容量高达 36GB，完整规格预计将由JEDEC在2024-2025年下半年左右发布。预计第一批客户样品和供货时间是2026年，因此我们还有很长一段时间才能看到新的高带宽内存解决方案投入使用。

本月初，三星电子工会宣布举行无限期大罢工，要求增加工资。三星工会立场强硬，称“罢工的目的是生产中断”。因此，业界担心在三星电子的半导体业务从去年的赤字中恢复过来之际，此次罢工将导致生产中断，并对其全球形象造成打击。

2022年下半年，三星电子曾面临设备解决方案部门及其整体利润的明显下滑，营业利润一度跌至1万亿韩元以下。从2023年下半年开始，随着市场环境的改善，三星电子的利润开始回升，三季度和四季度的营业利润均回到了2万亿韩元以上。进入2024年，第一季度的营业利润达到了6.61万亿韩元，相比去年同期的0.64万亿韩元，增长了十倍之多。

还有HBM因发热问题未能通过测试的报道，也让三星电子感到心烦意乱。尽管三星电子发布声明称，所谓芯片因发热和能耗问题尚未通过检测的说法“不实”，“检测正顺利、按计划推进”；黄仁勋也回应称：“那不是失败原因，那种报道不足挂齿”，“与三星的合作进展顺利，需要有耐心。”等等，但在面临强劲市场竞争的态势下，如何尽快走出负面消息包围，是当务之急。