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格芯收购Tagore GaN技术和相关团队

国际电子商情2日讯 美国代工大厂纯晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)周一在官网宣布,已收购Tagore专有且经过生产验证的功率氮化镓(GaN)技术及IP产品组合,以突破汽车、物联网和人工智能(AI)数据中心等广泛电源应用的效率和性能界限。

公开资料显示,被收购的一方Tagore成立于2011年1月,是一家无晶圆厂公司,旨在开拓用于射频和电源管理应用的GaN-on-Si半导体技术,在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。

数字世界随着生成式AI等技术不断发展,GaN脱颖而出,成为可持续和高效电源管理的关键解决方案,尤其是在数据中心。

格芯表示,此次交易可望进一步巩固公司对大规模生产GaN技术的决心,该技术提供多种优势,可帮助数据中心满足不断增长的电力需求,同时提高或保持电力效率、降低成本并控制热量产生。

格芯还表示,此次收购扩大了格芯的电源IP产品组合,并拓宽市场领先的GaN IP的获取渠道,使格芯客户能够快速将差异化产品推向市场。作为收购的一部分,一支来自Tagore的经验丰富的工程师团队将加入格芯,他们致力于开发GaN技术。

Tagore公司联合创始人兼首席运营官Amitava Das表示,“对更节能半导体的需求正在急剧增加,Tagore一直走在开发使用GaN技术为各种电源设备提供颠覆性解决方案的前沿。我和团队很高兴加入格芯,以加强我们对市场领先IP的关注,这将有助于解决电源设计挑战,并支持汽车、工业和AI数据中心电力输送系统的持续发展。”

另据市调机构TrendForce在先前的报告指出,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。目前,GaN功率元件市场的发展主要由消费电子所驱动,核心仍在于快速充电器,其他消费电子场景还包括D类音频、无线充电等。

值得一提的是,今年上半年,格芯的业务布局动作不断。年初,格芯和通用汽车宣布签署了长期协议。

2月19日,美国政府宣布向格芯(Global Foundries)提供15亿美元资金补贴,根据与美国商务部达成的初步协议,格芯将在美国纽约州马耳他建立一个新的半导体生产设施,并扩大在马耳他和佛蒙特州伯灵顿的现有业务。此外,除了15亿美元的补贴之外,政府还将提供给格芯16亿美元的贷款,最后带动的投资可能在120亿美元左右。针对格芯补贴,美国商务部长雷蒙多说,格芯马耳他工厂的扩建将确保通用汽车(GM)等汽车供应商和制造商能取得稳定的的芯片供给。

6月底,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴关系,以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议,两家公司将就增加美国半导体创新和制造的长期战略进行合作,双方共同目标是推进美国国内芯片制造和封装生态系统,主要针对航空航天和国防系统的安全芯片及解决方案。两家公司将参与新兴技术的长期规划,并在一系列领域进行研发合作,涵盖先进半导体封装和集成、硅基氮化镓(GaN-on-Si)、硅光子学和先进技术工艺开发。

本文来自ESM综合报道。 授权转载请注明出处:http://www.ledjia.com/article/pid-3782.html

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