【芯资讯】HBM产能排挤，DRAM内存下半年或供不应求

1.调研：至年底HBM投片量将占DRAM总体40%

据财联社消息，集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。

其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50%-60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

2.HBM产能排挤，DRAM下半年或供不应求

据中国台湾工商时报报道，三星、SK海力士及美光皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。

由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货，期间同属内存需求旺季，DDR5与LPDDR5(X)预期需求也将看增。在HBM投片比重扩大的情况下，将使得产出有限，下半年产能配置，将会是供给是否充足的关键。

3.存储器模块厂一季度存货攀高峰

据科创板日报引述中国台湾电子时报，尽管消费性电子产品需求疲弱，但AI及云端服务器等高端应用供不应求，持续拉动合约市场价格上扬，上游存储器原场看好涨势将有望延续至2025年。存储器模块厂积极备货，截至2024年第一季的存货金额攀升高点，各家存货周转天数约接近6-8个月。

4.台积电CoWoS先进封装产能供不应求

据快科技消息，数据中心GPU需求激增，特别是英伟达H100等AI芯片需求量的大幅上升，导致台积电面临CoWoS先进封装技术的产能危机。台积电为了应对这一挑战，计划在2024年全面提升封装产能，预计年底每月产能将达到4万片，相比2023年提升至少150%。

同时，台积电已经在规划2025年的CoWoS产能计划，预计产能可能还要实现倍增，其中英伟达的需求占据了一半以上。然而，CoWoS封装技术中的一个关键瓶颈是HBM芯片，HBM3/3E的堆叠层数将从HBM2/2E的4到8层升至8到12层，未来HBM4更是升至16层，无疑增加了封装的复杂性和难度。

5.传苹果高管访问台积电，预定所有初期2纳米产能

据IT之家消息，苹果公司首席运营官杰夫・威廉姆斯昨日访问台积电，最新消息称双方举办了一场“秘密会议”，苹果将包圆台积电所有初期2纳米工艺产能。

集邦咨询曝料称苹果高管本次访问台积电，全程受到魏哲家亲自接待。苹果这次低调的访问是为了确保台积电的先进制造能力，可能是2纳米工艺，用于苹果公司内部的人工智能芯片。

6.预测：2030年RISC-V架构将占据25%市场份额

据IT之家消息，分析机构Omdia发布新一期报告，指出RISC-V架构预计在2030 年占据25%市场份额。Omdia 预计基于RISC-V的芯片出货量将从今年起“每年增加50%”，预计2030年达到170亿芯片出货量。RISC-V应用最广的行业将是工业，预计占销售额的46%；汽车行业的增长量最快，预计相关架构芯片出货量每年将增长66%。

分析重点强调了RISC-V对汽车行业的优势，从商业模式来说，X86是封闭的指令架构，功耗最高；Arm扩展性不及X86但能耗居中，而RISC-V架构指令精简，没有历史包袱，功耗也最低，可以在提升汽车系统的整体性能，降低制造成本。