ASML最先进的光刻机，花落谁家？

ASML还计划进一步推出另一代低数值孔径(EUV)扫描仪Twinscan NXE:4000F，预计将于2026年左右发布。

近日，据外媒消息，ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽，据悉，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。由于ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台，三星等其他大厂或需要2025下半年后才能获得设备。ASML方面则计划未来几年要改善产能，年产能增加至20台。

据悉，ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元（当前约26.47亿元人民币）。NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好，行业消息显示，ASML最先进的高数值孔径EUV设备的数值孔径将从0.33提高到0.55，这意味着设备可以绘制更精细的电路图案。

自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm、5nm、3nm工艺，台积电的第二代7nm、5nm、3nm工艺的量产都是依赖于0.33数值孔径的EUV光刻机来进行生产。随着三星、台积电、英特尔3nm制程芯片的相继量产，目前这三大先进制程制造厂商都在积极投资2nm制程的研发，以满足未来高性能计算（HPC）等先进芯片需求，并在晶圆代工市场的竞争当中取得优势。

英特尔方面，自2021年起就提出了IDM2.0战略。目前其还处于高资本支出投入期，各地投资扩产计划相继开出，并且先进制程研发投入加速推进。目前晶圆代工部门还处于亏损阶段。

财报显示，英特尔晶圆代工业务去年的营业亏损较2022年扩大34.6%至70亿美元，营收同比下降31.2%至189亿美元。当时英特尔预计，代工业务的营业亏损会在今年达到峰值，2027年左右实现盈亏平衡。今年一季度英特尔代工业务实现营收44亿美元，同比下滑10%，营业亏损25亿美元。

扩产方面，2023年以来，英特尔相继公布了在美国、欧洲和以色列兴建半导体制造工厂的计划，在各地政府的纷纷补助下，总投资金额高达千亿美元。制程推进方面，英特尔即将完成“四年五个制程节点”计划，其中Intel 7，Intel 4和Intel 3已实现大规模量产。这样来看，英特尔或许能在未来斩获更多订单。

三星在光刻机获得方面亦早有计划。今年一月，ASML韩国公司总裁Lee Woo-kyung透露，期待2027年带来三星电子和ASML的合资企业新研发中心的高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 设备。

据悉，这个新的半导体研究中心是韩国总统尹锡悦去年对荷兰进行国事访问期间组建的半导体联盟的成果，三星电子和荷兰设备公司ASML共同投资1万亿韩元在韩国建立该中心。该设施将成为 ASML 和三星电子工程师使用 EUV 设备进行先进半导体研发合作的场所。该中心建于京畿道华城市ASML新园区前，将配备能够实施亚2纳米工艺的先进高数值孔径EUV光刻设备。Lee Woo-kyung表示，已在ASML韩国华城新园区附近新获得了一块场地，将于明年开始建设。计划在竣工时引进[高数值孔径]设备，预计最晚会在2027年完成。

另外，据三星官方消息，近期，三星执行董事长李在镕(Jay Y. Lee) 访问位于奥伯科亨 (Oberkochen) 的全球光学和光电子技术集团总部当时，会见了蔡司公司总裁兼总裁Karl Lamprecht以及其他公司高管，以深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作。

会上，双方同意扩大EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作伙伴关系，以增强双方的合作关系在代工和存储芯片领域的业务竞争。公开资料显示，蔡司集团是全球唯一的极紫外（EUV）光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。

据悉，三星电子的目标是引领3纳米以下的微制造工艺技术，今年计划采用EUV光刻技术量产第六代10纳米DRAM芯片。未来，三星电子积极寻求到2025年实现2nm芯片商业化，到2027年实现1.4nm芯片商业化。