【芯资讯】三星稳坐半导体市场份额首位，英特尔面临分拆

1.全球半导体企业排名：三星第一，英特尔跌至第五

据快科技消息，据调研机构Counterpoint的最新报告，全球半导体市场（包括存储产业）在2024年预计将实现强劲复苏，全年营收同比增长19%，达到6210亿美元。这一增长主要得益于人工智能技术需求的大幅增加，尤其是内存市场和GPU需求的持续推动。

来源：Counterpoint

从厂商来看，三星电子以11.8%的市场份额位居全球第一，随后分别是SK海力士、高通、博通、英特尔、美光、英伟达、AMD、联发科和西部数据。

Counterpoint认为，三星主要受益于存储芯片需求增长与价格上涨、智能手机业务的库存调整与补货，以及吸引AI/HPC客户导入先进制程，尽管面临HBM3e延迟及低端内存挑战。

SK海力士与美光也受益于存储芯片需求增长与价格上涨，以及AI应用对HBM的强劲需求。排名第五的英特尔则面临严峻挑战，受PC与服务器市场需求疲弱及运营挑战影响，市场竞争压力显著增加。

2.英特尔面临拆分，博通与台积电都在考虑接手

据快科技引述相关报道，英特尔的竞争对手博通和台积电，正在分别探索接手英特尔部分业务的可能性。报道指出，博通一直在评估英特尔的芯片设计和营销部门，并与顾问进行了非正式讨论，等找到制造业务的合作伙伴后可能提出收购要约

而与此同时，台积电也在研究收购英特尔部分或全部芯片制造工厂的可能性，可能通过投资者财团或其他合作形式来实现。值得注意的是，博通和台积电的行动目前仍处于初步和非正式阶段，且两者并未合作。

3.闪迪预计闪存市场升温，供需交叉将于上半年到来

据IT之家消息，闪迪在其投资者日演示文稿中预测，NAND闪存市场的需求将很快从目前的缓慢回升状态走入快速上升轨道，供需交叉点将于2025上半年到来。

闪迪认为在需求快速上升的背景下，几大闪存NAND闪存原厂将于二、三季度逐步走出减产状态，对自身供应水平进行校正，但产能回升幅度短期内仍无法匹配需求增加的水平。

4.SK海力士20万亿韩元打造HBM新生产基地

据IT之家引述韩媒消息，由于HBM需求旺盛，SK海力士将于3月向M15X晶圆厂派遣工程师，为投产做准备。M15X工厂计划于今年第四季度正式投产，目前正全力推进各项准备工作。

2024年12月，由DRAM前工序部门的团队长和组长组成的先遣队已率先派往M15X工厂，此次大规模派遣工程师，标志着投产准备工作进入最后阶段。M15X工厂是SK海力士对位于忠清北道清州市的现有M15工厂进行扩建的项目，将专注于生产HBM。

5.华虹半导体第四季度营收增长近2成，产能利用率满载

华虹半导体公布2024年第四季度未经审核业绩，营收5.39亿美元，同比增长18.4%，环比增长2.4%；净亏损2520万美元，同比与环比转盈为亏，主要由于外币汇兑损失所致。

截至2024年第四季度末，华虹半导体月产能为39.1万片8英寸等值晶圆，总体产能利用率为103.2%，环比下降2.1个百分点。第四季度付运晶圆121.3万片，同比上升27.5%，环比上升1.1%。

2024年度，华虹半导体销售收入为20.04亿美元，同比下降12.3%；归母净利润为5810万美元，上一年度为2.8亿美元。

6.英飞凌推出首批基于200毫米晶圆的碳化硅产品

英飞凌2月13日宣布，将在2025年第一季度向客户发布基于先进200毫米SiC技术的首批产品。这些产品在奥地利维拉赫制造，为高压应用提供一流的SiC电源技术，包括可再生能源、火车和电动汽车。此外，英飞凌位于马来西亚居林的制造基地从150毫米晶圆向200毫米晶圆的过渡完全在正轨上。新建的Module 3准备开始大批量生产，以满足市场需求。

作为高度创新的宽带隙技术的英飞凌One Virtual Fab，英飞凌在维拉赫和库林的生产基地共享技术和工艺，实现了SiC和GaN制造的快速升级和平稳高效的运营。200毫米SiC制造活动现在增加了英飞凌提供行业领先的半导体技术和电源系统解决方案的良好记录，并加强了公司在硅以及SiC和GaN等整个功率半导体领域的技术领先地位。

7.澜起科技：第二子代MRCD和MDB芯片已成送样

据财联社消息，澜起科技发布投资者关系活动记录表公告，公司第二子代MRCD和MDB芯片已成功向全球主要内存厂商送样，专为DDR5多路复用双列直插内存模组（MRDIMM）设计。

此外，公司推出的PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片支持16通道，最高数据传输速率可达64GT/s。MXC芯片已成功通过CXL 2.0合规性测试，列入CXL联盟公布的首批CXL 2.0合规供应商清单。