【芯资讯】三星升级西安晶圆厂，将引入238层闪存产线

1.传三星推动西安闪存工厂升级，年内建成286层闪存产线

据快科技引述韩媒消息，三星中国西安NAND闪存工厂在将制程从第六代V-NAND（136层）转换至第八代（238层）的基础上，还计划在年内建设第九代（286层）产线。

报道宣称，三星西安厂生产V9 NAND所需的新设备将于今年上半年导入，目标是到年底建成晶圆吞吐量达每月2000至5000片的产线。

三星在去年先后宣布其基于第九代V-NAND技术的TLC和QLC颗粒量产，目前相关产品正在其韩国平泽P4工厂制造。而三星下代堆叠达4XX层的V10 NAND预计将于2月19日在ISSCC 2025上公布。

2.传三星平泽晶圆代工厂全速复产，受中国订单驱动

据快科技引述韩媒消息，三星不仅取消了对平泽园区晶圆代工生产线的“停机”措施，还计划从今年6月起将生产线的运行率提升至最高水平。三星平泽园区的晶圆代工生产线此前因订单低迷而暂停了约50%的产能，主要涉及4纳米、5纳米及7纳米工艺，但从6月开始，三星将把生产能力提升至满负荷。

此次恢复运行主要得益于三星系统LSI业务部智能手机应用处理器（AP）Exynos相关订单的增加，以及中国加密货币“矿机”订单的增加。此外，第六代HBM4核心“逻辑芯片”的生产订单增加，也对整体运行率的提升起到了积极作用。

3.信通院：2024年国内手机出货量增长8.7%至3.14亿部

据IT之家消息，中国信通院发布2024年1-12月国内手机市场报告。总体情况方面，12月，国内市场手机出货量3452.8万部，同比增长22.1%，其中5G手机3043.3万部，同比增长25.8%，占同期手机出货量的88.1%。2024年1-12 月，国内市场手机出货量3.14亿部，同比增长8.7%，其中5G手机 2.72亿部，同比增长13.4%，占同期手机出货量的86.4%。

国内市场品牌构成方面，2024年12月，国产品牌手机出货量3078.4万部，同比增长25.4%，占同期出货量的89.2%。2024年1-12月，国产品牌手机出货量2.69亿部，同比增长16.3%，占同期出货量的85.6%。

4.格罗方德全年营收降低9%，晶圆出货降4%

晶圆代工厂格罗方德公布2024年第四季度和全年财报，第四季度营收18.3亿美元，同比下降1%，环比增长5%；运营亏损7.01亿美元，同比与环比都转盈为亏；当季晶圆出货合12英寸晶圆59.5万片，同比与环比都增长8%。

格罗方德全年营收67.5亿美元，比上年降低9%；运营亏损2.14亿美元，转盈为亏；全年晶圆出货212.4万片，比上年降低4%。

5.分析师：英伟达RTX 50显卡芯片供应紧张

据科创板日报消息，知名分析师郭明錤表示，英伟达GeForceRTX 50系游戏显卡整体面临芯片供应问题，这导致已发布的RTX 5090/5080出现缺货，也可能会波及到后面的其它产品。

郭明錤认为英伟达分别面向中高端和主流市场的RTX 5070、5060的量产时间可能从此前定下的2月和3月分别延后至3月和4月；这两款产品即使量产时间未遭遇推迟，也会因为数量稀少导致开卖即缺货。

6.英飞凌扩充CoolSiC MOSFET 650 V G2系列产品线

英飞凌宣布扩大其分立CoolSiC MOSFET 650 V的产品组合，推出两个采用Q-DPAK和TOLL封装的新产品系列。新品针对中高功率开关电源（SMPS），包括人工智能服务器、可再生能源、电动汽车充电器、电动汽车和人形机器人、电视、驱动器和固态断路器等应用。

TOLL封装提供了出色的板载热循环能力，通过减少PCB占用面积实现紧凑的系统设计。当用于SMPS时，还可以降低系统级制造成本。TOLL封装现在适合更多的目标应用，使PCB设计人员能够进一步降低成本，更好地满足市场需求。

TOLL封装的CoolSiC MOSFET 650 V G2现在提供10至60 毫欧姆的导通电阻，而Q-DPAK封装有7、10、15和20毫欧姆可供选择。