存储大厂技术之争愈演愈烈

闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。

而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年前实现1000层NAND Flash，铠侠则计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。

内存方面，存储大厂瞄准先进制程节点以及3D DRAM。

今年3月美光在财报中透露，目前绝大多数DRAM颗粒处于1α与1β先进节点，下一代1γ DRAM将引入EUV光刻机，已经进行了试生产。

三星DRAM芯片工艺处于1b nm级别，近期媒体报道三星计划在年内启动1c nm DRAM量产，将采用极紫外光（EUV）技术制造。2025年三星还将进入3D DRAM时代，该公司已经对外展示了垂直通道电晶体和堆叠DRAM两项3D DRAM技术。

SK海力士同样也在布局3D DRAM，此前《BusinessKorea》去年报道，SK海力士提出了将IGZO作为3D DRAM的新一代通道材料。据业界人士表示，IGZO是由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料，IGZO 的最大优势是其低待机功耗，这种特点适合要求长续航时间的DRAM芯晶体管。通过调节In、Ga、ZnO等三个成分的组成比，很容易实现。