SDK研究LED晶体生长新工艺：混合PPD工艺有望突破亮度极限

为了满足日益增长的市场需求，昭和电工集团(SDK)研究出一种制造氮化镓(GaN)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色发光二极管(LED)。

这种新工艺称为“混合PPD工艺!”，是常规的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺和昭和集团特有的等离子辅助物理沉积(PPD)工艺的结合。PPD工艺用于生成氮化物基半导体晶体。

利用这种新工艺，可以生产出用传统的金属有机化学气相沉积加工(MOCVD)工艺不可能生产的优质四英寸外延片(epitaxial wafer)。 利用混合PPD工艺，昭和(SDK)还成功地研制出目前市面上亮度最高的蓝色发光二极管。 昭和(SDK)将在今年把这种蓝色发光二极管推出市场。

昭和电工集团(SDK)已决定在日本千叶(Chiba)分公司建设生产线，利用这种新工艺的技术生产四英寸外延片。由于采用新技术生产出来的晶片较大，再加上新建的生产线，昭和电工集团(SDK)的蓝色发光二极管生产能力将大大增加，目前每月产量为3千万只，到今年年底将增加到每月1亿只。

混合PPD新工艺简介

目前，氮化镓基蓝色或白色发光二极管(典型的氮化物基复合半导体)的照明效率已经超过了其他光源(例如白炽灯、日光灯)，但批量生产优质外延片的新技术仍然是非常需要的。

昭和电工集团(SDK)的混合PPD新工艺，可以确保显著提高效率，并能生产出晶体质量更好的四英寸外延片(epitaxial wafer)。

同时，昭和电工集团(SDK)的混合PPD新工艺，在多年积累的外延生长工艺的基础上，可以生产出多层的优质晶体；而且生产效率比传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺更高。 昭和电工集团(SDK)的混合PPD工艺技术已经申请了30多项专利。

根据X射线摇摆曲线(XRC)法分析，用PPD工艺生产出来的蓝宝石基片，在上面所形成的单晶氮化物层与用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生产的类似产品相比，其结晶品质显示出显著改善。

术语解释：

氮化物基复合半导体

基于(Alx,Gay,In1-x-y)N的复合半导体的通称，主要用于生产紫外线及绿色发光二极管和蓝色激光二极管(LD)。作为新型的电子器件材料，这些产品正引起人们的重视。

氮化镓(GaN)基发光二极管

根据不同的成分，氮化镓基发光二极管可以发出从紫外线到绿光的各种光。如果将紫外线或蓝色发光二极管同荧光物质结合起来，就有可能生产出波长范围很广的发光二极管。(荧光物质是一种发光的物质，能够将所吸收的部分光线转换成不同波长的光辐射并放射出来)

外延生长

一种形成半导体层的技术，在衬底上面所形成的晶体层，其晶向与衬底相同。