DrMOS科普：高效的电源管理器件，AI服务器不可或缺

AI服务器算力持续提升，散热设计必须跟上系统负载，但越强大的散热方案，开发过程中的突发变量也就越多。最近消息传出，英伟达下一代GB300/B300系列AI服务器的开发与测试中，作为重要器件的DrMOS出现过热，而这一问题可能拖慢出货节奏。

随着电源设计的日益复杂，富有高集成度的DrMOS发挥出越来越大的作用，了解此类器件，有助于更好领会现阶段电源方案设计的思路，从而把握这一器件以及配套器件的需求发展。

DrMOS(Integrated Driver & MOSFET，集成驱动器MOS)，从名称就能看出，是将MOSFET与驱动器IC集成封装所组成的模块，该技术由英特尔率先推出，因此其应用长期以来都与PC和服务器密切相关。随着AI产业的增长，DrMOS凭借优质特性，也被用于算力服务器的电源方案中。相比传统供电设计中上下行MOSFET与驱动IC分开放置的方法，DrMOS具有以下优势：

高集成度：DrMOS将驱动器和MOS管集成在一个封装内，减少了元件数量和电路板空间占用。

高效能：DrMOS具有更低的导通电阻和开关损耗，能够提高电源转换效率，降低系统功耗和发热。

快速响应：DrMOS能够实现快速的开关切换，响应速度快，有助于提高系统的动态性能。

散热良好：DrMOS的良好散热设计可有效降低芯片工作温度，提高系统的可靠性。

DrMOS器件的封装形态 来源：互联网

评估一颗DrMOS器件的性能，需要参看以下指标：

功率密度：DrMOS的功率密度是指单位体积内的功率输出。高功率密度意味着在有限的空间内能够提供更高的功率输出，有利于电源系统的紧凑化设计。

效率：效率是指输出功率与输入功率的比值，高效率可以减少功率损耗并改善热管理。DrMOS的热效率表现，对降低系统能耗和提升稳定度至关重要。

热性能：热性能主要是DrMOS内MOSFET的结温、热阻等参数来衡量，良好的热性能可以确保器件在高温环境下仍能稳定工作，延长设备寿命。

开关速度：指DrMOS在开关过程中的响应时间，更快的开关速度可以减少开关损耗，提高系统的整体性能。

保护特性：DrMOS通常集成过温保护（OTP）、输入过压保护（VINOVP）和欠压闭锁（UVLO）等保护功能，这些特性可以确保器件在异常情况下不会损坏，提高系统的安全性。

大市场与激烈竞争同在

DrMOS的主要供应商有MPS、ADI、TI、安森美、瑞萨、AOS以及立锜等，来自各个品牌与不同方案，成本可能从几元到数十元不等。调研机构Omdia的数据指出，2021年全球DrMOS市场规模约为9.56亿美元，预计到2026年将增长至11.22亿美元，2021-2026年的复合年增长率为3.24%。

除了新能源车、PC与普通服务器、以及工业等领域外，AI服务器数量的快速增长，也将给DrMOS的市场规模带来更多增长空间。但GPU算力核心的性能日益增长，也给电源设计增添了很大难度，现有的DrMOS方案也在面对性能极限的挑战。

最近英伟达GB300/B300系列AI服务器的开发测试中，发现所使用的的DrMOS存在严重过热问题，或将拖慢整体上市进度。消息指出，是AOS 的5x5 DrMO存在问题，如无法解决，英伟达则可能更换MPS的5x6 DrMOS。

英伟达优先测试AOS的方案，本意在于引入MPS之外的供应商平衡成本，但目前来看变更方案还是将更有利于MPS。此事件也印证了DrMOS市场激烈的竞争格局，想要拿到大型客户的供应权绝非易事。

随着各个应用领域的发展，DrMOS市场无疑深具前景，终端应用日益严格的要求，将会促进各大供应商不断更新技术，从而促使DrMOS向更高转换效率、更低效能损耗和封装更加轻巧的方向发展。