V型电极的大功率LED芯片的封装

V型电极的大功率LED芯片的封装

对于V型电极LED芯片，如图1所示，其中两个电极的p极和n极都在同一面。这种LED芯片的通常是绝缘体（如Al₂O₃、蓝宝石），而且在绝缘体的底层外壳上一般镀有一层光反射层，可以使衬底的光反射回来，从而让光线从正面射出，以提高光效。

图1 V型电极LED芯片的封装

这种封装应在绝缘体下表面用一种导热（绝缘）胶把LED芯片与热沉粘合，上面把两个电极用金丝焊出。特别要注意大功率LED通过的电流大，1W LED的电流一般为350mA，所以要用粗金丝。不过有时粗金丝不适用于焊线机，也可以并联焊两根金丝，这样使每根金丝通过的电流减少。这种芯片的烘干温度是100~150℃，时间一般是60~90分钟。

在封装大功率LED时，由于点亮时发热量比较大，可以在LED芯片上盖一层硅凝胶，而不可用环氧树脂。这样做一方面可防止金丝热胀冷缩与环氧树脂不一致而被拉断；另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污，结果透光性能不好。所以在制作白光LED时应用硅凝胶调和荧光粉。如果LED芯片底层已镀上金锡合金，也可用第一种办法来做。