LED的电学指标
2007年12月3日1、 LED的电流-电压特性图
图1所示为LED工作的电流-电压(I-V)特性图。发光二极管具有与一般半导体三极管相似的输入伏安特性曲线。我们分别对图中所示的各段进行说明。
图1 LED工作的电流-电压特性图
OA段:正向死区
VA为开启LED发光的电压。红色(黄色)LED的开启电压一般为0.2~0.25V,绿色(蓝色)LED的开启电压一般为0.3~0.35V。
AB段:工作区
在这一区段,一般是随着电压增加电流也跟着增加,发光亮度也跟着增大。但在这个区段内要特别注意,如果不加任何保护,当正向电压增加到一定值后,那么发光二极管的正向电压会减小,而正向电流会加大。如果没有保护电路,会因电流增大而烧坏发光二极管。
OC段:反向死区
发光二极管加反向电压是不发光的(不工作),但有反向电流。这个反向电流通常很小,一般在几μA之内。在1990~1995年,反向电流定为10μA,1995~2000年为5μA;目前一般是在3μA以下,但基本上是0μA。
CD段:反向击穿区
发光二极管的反向电压一般不要超过10V,最大不得超过15V。超过这个电压,就会出现反向击穿,导致LED报废。
2、 LED的电学指标
对于LED器件,一般常用的电学指标有以下几项:
·正向电压 VF:LED正向电流在20mA时的正向电压。
·正向电流 IF:对于小功率LED,目前全世界一致定为20mA,这是小功率LED的正常工作电流。但目前出现了大功率LED的芯片,所以IF就要根据芯片的规格来确定正向工作电流。
·反向漏电流IR:按LED以前的常规规定,指反向电压在5V时的反向漏电流。如上面所说,随着发光二极管性能的提高,反向漏电流会越来越小,但大功率LED芯片尚未明确规定。
·工作时的耗散功率PD:即正向电流乘以正向电压。
3、 LED的极限参数
对于LED器件,一般常用的极限参数有以下几项:
·最大允许耗散功率Pmax=IFH×VFH:一般按环境温度为25℃时的额定功率。当环境温度升高,则LED的最大允许耗散功率将会下降。
·最大允许工作电流IFM:由最大允许耗散功率来确定。参考一般的技术手册中给出的工作电流范围,最好在使用时不要用到最大工作电流。要根据散热条件来确定,一般只用到最大电流IFM的60%为好。
·最大允许正向脉冲电流IFP:一般是由占空比与脉冲重复频率来确定。LED工作于脉冲状态时,可通过调节脉宽来实现亮度调节,例如LED显示屏就是利用这个手段来调节亮度的。
·反向击穿电压VR:一般要求反向电流为指定值的情况下可测试反向电压VR,反向电流一般为5~100μA之间。反向击穿电压通常不能超过20V,在设计电路时,一定要确定加到LED的反向电压不要超过20V。
4、 LED的其他电学参数
在高频电路中使用LED时,还要考虑以下两个因素:
·结电容Cj
·响应时间:上升时间tr,下降时间t f
当LED接在高频电路中使用时,要考虑到结电容和上升、下降时间,否则LED无法正常工作。
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