三星HBM3E签30亿美元大单？

据称，三星还同意购买AMD的GPU以换取HBM产品的交易，但是具体的产品和数量暂时还不清楚。

去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，宣布推出代号为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。今年2月，三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠，容量为36GB，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。随后三星开始向客户提供了样品，计划在今年下半年开始大规模量产。

业界消息显示，AMD计划在今年下半年推出Instinct MI350系列，其属于Instinct MI300系列的升级版本，采用台积电的4nm工艺制造，以提供更强的性能并降低功耗。并且由于采用了12层堆叠的HBM3E，该系列提高带宽的同时还加大了容量。

据悉，三星HBM3E 12H DRAM高达1280GB/s带宽，加上36GB，较前代八层堆叠提高50%。HBM3E 12H采用先进热压非导电薄膜（TCNCF）技术，使12层与8层芯片高度相同，满足HBM封装要求。且芯片不同尺寸凸块改善HBM热性能，芯片键合时较小凸块于讯号传输区域，较大凸块放在需散热区域，有助提高产品良率。按照三星的说法，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。

据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于三星是AMD长期以来最重要的策略供应伙伴，2024年第一季，三星HBM3产品也陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8h与12h产品，故自2024年第一季以后，三星HBM3产品将会逐渐放量。

据TrendForce集邦咨询预测，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

以HBM产能来看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追。