薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。 研究论文通讯作者、麻省理工学院的贾加迪什&mi...

制备完美的晶体通常依赖于使用小晶体模板，即以“晶体种子”作为生长起点，随后原子在其表面有序堆积，逐渐形成更大的晶体，例如建造房屋，就是以地基为“种子&rd...

研究负责人周圣军表示，团队利用氧化铟锡 (ITO) 和 p-GaP之间的肖特基接触特性，以及ITO和p-GaP+之间的欧姆接触特性构建了SCBL，并通过转移长度法（transfer leng...

NGK并投资取得方略少数股权，加深双方合作深度。 方略指出，NGK是拥有百年历史的日本企业，专注于陶瓷技术创新，自1919年成立以来，秉持卓越的陶瓷技术，开发出陶瓷基板和陶瓷封装等自有产品，...

作为屏下指纹技术的创新先驱，汇顶科技顺应屏幕技术演进趋势，推动解锁体验的再次跃升。基于汇顶自研CMOS Sensor架构及晶圆级声学层加工，全新超声波指纹方案的信噪比表现更为出色，...

中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。