厚度仅100nm！新型超薄晶体薄膜半导体被成功研制

薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导体的7倍。这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。

研究论文通讯作者、麻省理工学院的贾加迪什·穆德拉指出，他们通过分子束外延过程制造出了这款薄膜半导体。该过程需要精确控制分子束，逐个原子地构建材料，这样获得的材料瑕疵最小最少，从而实现更高的电子迁移率。

研究人员向这种薄膜半导体施加电流时，记录到电子以10000平方厘米/伏秒的破纪录速度迁移。相比之下，在标准硅半导体内，电子的迁移速度通常约为1400平方厘米/伏秒；在传统铜线中则更慢。

研究人员将这种薄膜半导体比作“不堵车的高速公路”，认为这有助于研制更高效、更可持续的电子设备，如自旋电子设备和可将废热转化为电能的可穿戴热电设备。

研究团队指出，即使材料中最微小的瑕疵也会阻碍电子运动，从而影响电子迁移率。他们希望进一步改进制作过程，让薄膜变得更纤薄，从而更好地应用于未来的自旋电子设备和可穿戴热电设备。