英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。

CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless

英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™  MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现最高能效。”

与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。

全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on)级（11至45mΩ）产品采用开尔文源TOLL和D²PAK-7封装以及.XT封装互连技术。在Tvj=25°C时，其漏极-源极击穿电压为400 V，因此非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。高度稳健的CoolSiC™技术与.XT互连技术相结合，使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭借连接技术和低正RDS(on)温度系数，即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。

供货方面，CoolSiC™ MOSFET 400 V产品组合的工程样品现已发布，并将于2024年10月开始量产。