2024年Q2，存储技术路线图更新

三星在V7中将single-deck改为double-deck，并采用了2D阵列-外围设计来集成COP(cell on peripheral)。三星已经在市场上推出了V8 236L 1Tb TLC产品，这是他们的第二款COP结构。今年，三星刚刚推出了300L以下的V9 286L（290层左右)。三星目前拥有286L V9 COP V-NAND。

此外，三星还为990 EVO添加了133L V6 Prime版本，即所谓的V6P，而不是128L V6。133L是一个没有COP结构的single deck。总栅极数为140，活动字线（active wordline）数从128增加到133，速度增加到1,600 MT/s，在512Gb晶片上有2个平面（plane），每个平面有2个子平面。下一代V10将采用混合键合技术，类似于即将推出的铠侠218L CBA和长江存储目前的Xtacking 3D NAND产品。

铠侠（KIOXIA）和西部数据（WDC）保持了BiCS结构，市场上的大部分产品仍然是112L，第5代。去年，TechInsights采购了162L BiCS第六代。BiCS6 162L可能不会持续太久。铠侠将跳过BiCS的第7代，而即将到来的BiCS第8代将拥有218个active WL layers，而下一代将开发284个WL层。218L和284L 3D NAND器件将采用双晶圆的混合键合技术。如果3xx层开发进展顺利，可能会再次跳过284L。

SK海力士延续了4D PUC结构。目前市场将广泛使用SK海力士V7 176L和V8 238L 4D PUC批量产品。下一款V9 321L 4D PUC将于明年上市，400层以下的370L或380L等3yy-层器件可能会陆续推出。