高出光效率的LED发光二极管

 高出光效率的LED发光二极管
申请专利号 200720040664
专利申请日 2007-07-13
公开（公告）号 201072087
公开（公告）日 2008-06-11
类别 F21V 19/00、F21V 21/00、F21V 3/00、H01L 23/31、H01L 33/00、F21Y 101/02
申请（专利权）人 扬州华夏集成光电有限公司
地址 江苏省扬州市扬子江南路518号
发明（设计）人 林岳明、曾金穗、钟艳明
摘要
本实用新型涉及一种高出光效率的ＬＥＤ发光二极管，属于电子发光器件技术领域，本实用新型是对现有ＬＥＤ发光二极管结构的改进，通过在ＬＥＤ发光芯片与透明树脂间设置光折射率介于其二者之间的透明过渡介质层，这种结构的改变一方面提高了芯片出光效率，有利于实现ＬＥＤ发光二极管的高亮度，选择适当的介质层后，能最大提高到８．１４％，同时，由于出光效率的提高减少了光子的热转化，从而减少了芯片的热效应，减轻了ＬＥＤ发光二极管的热负荷，本实用新型结构简单，同功率ＬＥＤ发光二极管相比，出光效率提高显著，极具竞争力，具有显著的经济效益和社会效益，可替代现有ＬＥＤ发光二极管。



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