陶氏化学于韩国天安设的三甲基鎵(TMG)新厂动工兴建

　　美国化工业龙头陶氏化学(Dow Chemical Co.) 子公司Dow Electronic Materials宣佈，其位于南韩天安(Cheonan)的三甲基鎵(TMG)新厂已经动工兴建，预计2011年初便可投产。

　　三甲基鎵为一种有机金属化学气相沉积(MOCVD)的前驱物质，对于LED以及其他化合物半导体元件的生产极为重要。

　　Dow Electronic Materials指出，韩国天安新厂，为2010年6月宣佈的分阶段扩产计划当中的一环。这项整体扩产计划，年产能可望增加60吨。而美国现有厂区的产能扩增计划正如期进行中，2010年底至2011年Q1间将陆续有新产能开出。

　　Dow Electronic Materials目前在美国麻州North Andover生产三甲基鎵与其他有机金属前驱物，封装工作则在North Andover与台湾桃园两地进行。陶氏化学与液晶玻璃基板暨光纤大厂康寧(Corning) 合资公司Dow Corning Corp.在韩国Jincheon另设有一座专门生产LED用硅胶的工厂。