L型电极的大功率LED芯片的封装

L型电极的大功率LED芯片的封装

美国GREE公司的1W大功率芯片（L型电极），它的上下各有一个电极。其碳化硅（SiC）衬底的底层首先镀一层金属，如金锡合金（一般做芯片的厂家已镀好），然后在热沉上也同样镀一层金锡合金。将LED芯片底座上的金属和热沉上的金属熔合在一起，称为共晶焊接，如图1所示。

图1 共晶焊接

对于这种封装方式，一定要注意当LED芯片与热沉一起加热时，二者接触要好，最好二者之间加有一定压力，而且二者接触面一定要受力均匀，两面平衡。控制好金和锡的比例，这样焊接效果才好。这种方法做出来的LED的热阻较小、散热较好、光效较高。

这种封装方式是上、下两面输入电流。如果与热沉相连的一极是与热沉直接导电的，则热沉也成为一个电极。因此连接热沉与散热片时要注意绝缘，而且需要使用导热胶把热沉与散热片粘连好。使用这种LED要测试热沉是否与其接触的一极是零电阻，若为零电阻则是相通的，故与热沉相连加装散热片时要注意与散热片绝缘。

共晶点

加热温度也称为共晶点。温度的多少要根据金和锡的比例来定：

·AuSn（金80%，锡20%）：共晶点为282℃，加热时间控制在几秒钟之内。

·AuSn（金10%，锡90%）：共晶点为217℃，加热时间控制在几秒钟之内。

·AgSn（银3.5%，锡96.5%）：共晶点为232℃，加热时间控制在几秒钟之内。