来自SET的研究人员确定了三种可能引发紫外LED(次于250nm)下降——更高电流密度时外量子效率下降——的机理,那就是自热、载荷放电(从量子阱到阻止层或p型帽层)以及俄歇复合。
SET研究人员断定,与不同“H- pixel”及不同驱动电流下条形器件的连续波及脉冲输出作比较,可以得出自热是导致下降的因素之一。他们发现下降不仅仅依赖电流密度,也与产生焦耳热的总注入电流有关。此外,当电流提升时紫外LED(脉冲500ns及200ns,20kHz)效率下降。
另一个可能的因素是源于微弱空子注入的载荷泄漏,在高的泵浦电流下蓝移意味着更快的带间填充以及随后的电子溢出到更宽的带隙材料当中。还有俄歇复合,也被认为是下降的原因之一。他们正在考虑在不能温度下做器件的特征分析,这对认识更多有关俄歇复合作用或许有用。
研究中所紫外光LED的波长范围在245-247nm之间,连续波输出,功率2mW。(LEDC MH编译)
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