LED芯片分类

1.MB芯片定义与特点

定义﹕
& && & MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点﹕
& &&&1、 采用高散热系数的材料---Si&&作为衬底﹐散热容易.

Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K

& &&&2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
& &&&3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4& &倍)，更适应于高驱动电流领域。
& &&&4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
& &&&5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

2.GB芯片定义和特点

定义﹕
& && & GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
& && && &1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
& && && &2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
& && && &3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
& && && &4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

3.TS芯片定义和特点

定义﹕
& && & TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

特点﹕
& & 1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
& & 2. 信赖性卓越
& & 3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
& & 4.应用广泛

4.AS芯片定义与特点

定义﹕
& && & AS 芯片﹕Absorbable structure&&(吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
& && &大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特点﹕
& & 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
& & 2. 信赖性优良
& & 3. 应用广泛

发光二极管芯片材料磊晶种类

1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs

6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，&&(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs



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