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生长LED有源层的外延方法及特点

LED之家  于2009-01-18 00:06:20  http://www.ledjia.com/ledhangye/viewarticle.php?id=570

文章摘要:生长LED有源层的外延方法及特点2008年4月15日生长LED有源层的外延方法有气相外延VPE)、液相外延(LPE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延(MBE)。它们生长LED有源层的材料分别有气相外延CaAsp、GaP,液相外延GaP,GaAlAs,金属有机物化学气相淀积InGaA

生长LED有源层的外延方法及特点

2008年4月15日

生长LED有源层的外延方法有气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延(MBE)。它们生长LED有源层的材料分别有气相外延CaAsp、GaP,液相外延GaP,GaAlAs,金属有机物化学气相淀积InGaAlP、InCaN,分子束外延ZnSe等。

气相外延比较简单,往往在外延生长后要再通过用扩散的方法制作PN结,所以效率低。液相外延已能一炉生长60-100片,生产效率较高,通过稼的重复使用成本也已降得很低,可用以制造高亮度GaP绿色发光器件和一般亮度的GaP红色发光器件,也可用它制造超高亮度GaAlAs发光器件。金属有机化学气相淀积法(MOCVD)是目前生产超高亮度InCaN蓝、绿色LED和InCaAIP红、黄色LED的主要方法,它既能精确控制厚度---生长厚度能控制到20A左右,又能精密控制外延层的组成。可用此法生长超高亮度LED结构中所需要的量子阱阶层和DBR反射结构种的20个左右的周期层,也适用于大批量生产,是目前生产超高亮度LED的主要方法。分子束外延目前主要用于研制ZnSe白色发光二极管,效果很好,能生长小于10A的外延层,确定是生长数度较慢,每小时约1微米,装片容量也颇少,生产效率较低。

来源:中国半导体照明


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