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AIXTRON Planetary 反应室技术降低了SiCED的外延生产成本

LED之家  于2009-02-01 15:42:48  http://www.ledjia.com/ledhangye/viewarticle.php?id=5130

文章摘要:  2007年11月13日,AIXTRON宣布SiCEDElectronicsDevelopment股份有限公司选择AIX2800G4HTMOCVD系统生产电力电子用10x100mm(4英寸)及未来的6x150mm(6英寸)SiC晶片。SiCED指出SiC材料生产技术在电力电子器件方面已成熟,公司现

  2007年11月13日,AIXTRON宣布SiCED Electronics Development 股份有限公司选择AIX 2800G4 HT MOCVD系统生产电力电子用10x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC晶片。SiCED指出SiC材料生产技术在电力电子器件方面已成熟,公司现正在为未来准备。有了AIX 2800G4系统,SiCED的100mmSiC晶片产能将获显著提高。由于AIXTRON的高产量外延生产设备可使150mm晶片产量增倍,这为SiCED向更大直径尺寸的晶片转移做好了准备。

(http://www.aixtron.com/index.php?id=312amp;L=1amp;tx_ttnews[tt_news]=812amp;tx_ttnews[backPid]=178amp;cHash=6e25e11da2)

来源:中国半导体照明网


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