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半导体发光二极管(LED)

LED之家  于2009-01-06 20:58:58  http://www.ledjia.com/ledhangye/viewarticle.php?id=306

文章摘要:半导体发光二极管(LED)是在半导体p-n结或类似的结构中通以正向电流,以高效率发出可见光或红外辐射的器件。由于它发射准单色光、尺寸小、寿命长和廉价,因此被广泛用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领...

半导体发光二极管(LED)是在半导体p-n结或类似的结构中通以正向电流,以高效率发出可见光或红外辐射的器件。由于它发射准单色光、尺寸小、寿命长和廉价,因此被广泛用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领域。

一、发光二极管的发光机理

1.p-n结电子注入发光

  图1、图2表示p-n结未知电压是构成一定的势垒;当加正向偏置时势垒下降,p区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率μ比空穴迁移率大得多,出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是P-N结发光的原理。

  发光的波长或频率取决于选用的半导体材料的能隙Eg。如Eg的单位为电子伏(eV),
                          Eg=hv/q=hc/(λq)

                        λ=hc/(qEg)=1240/Eg (nm)
半导体可分为置接带隙和间接带隙两种,发光二极管大都采用直接带隙材料,这样可使电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光,有很高的效率。反之,采用间接带隙材料,其效率就低一些。下表列举了常用半导体材料及其发射的光波波长等参数。

3.异质结注入发光

  为了提高载流子注入效率,可以采用异质结。图4表示未加偏置时的异质结能级图,对电子和空穴具有不同高度的势垒。图5表示加正向偏置后,这两个势垒均减小。但空垒的势垒小得多,而且空穴不断从P区向n区扩散,得到高的注入效率。N区的电子注入P区的速率却较小。这样n区的电子就越迁到价带与注入的空穴复合,而发射出由n型半导体能隙所决定的辐射。由于p取得能隙大,光辐射无法把点自己发到导带,因此不发生光的吸收,从而可直接透射处发光二极管外,减少了光能的损失。

  发光二极管与半导体二极管同样加正向电压,但效果不同。发光二极管把注入的载流子转变成光子,辐射出光。一般半导体二极管注入的载流子构成正向电流。应严格加以区别。

二、发光二极管的特性



1. 效率
  发光二极管的效率可以用电光源的常用术语来表征,即对红外光采用辐射效率ηe,对可见光则用发光效率ηl.但是也有用内量子效率ηqi和外量子效率ηqe来表征的;

                            ηqi=NT/G

  公式中NT为辐射复合产生光子的效率,G为注入的电子空穴对书。这样ηqi等于注入每个电子空穴对在半导体内所发生的光子数,最高可接近100%。
                            ηqe=NT/G

  公式中,NT为从发光二极管输出光子的效率。这样qei等于注入每个电子空穴对所产生的输出器件外的有效光子数,一般只有0.01----13%。发射红外的ηqe可达15%,而绿光ηqe,下降到1%以下。
使外量子效率显著下降的主要原因是半导体本身的吸收,是光从半导体射入空气时的反射损失和全反射损失造成的。例如GaAs的折射率n=3.6,反射损失为32%,用图6所示结构的全反射损失为96%,出射的光只有百分之几。采用图7的结构,全反射损失大为减少。目前常用透明树脂替代图7的球型部分,以降低成本。

2. 光的光谱分布

  对大多数半导体材料来说,由于折射率较大,在光逸出半导体之前,往往以经过多次反射,由于短波光比长波光易于吸收,所以峰值波长所对应的光子能量比带隙Eg小些。例如,GaAs发射的峰值波长所对应的光子能量为1.1eV,比室温下的带隙Eg小0.3eV。改变GaAs1-xPx中的x值,峰值波长在620---680nm范围内变化。谱线半宽度为200-300A。由此可知,发光二极管提供的是半宽度很大的单色光。
  由于半导体的能隙温度的上升而减小,因此它所发射的峰波长随温度的上升而增长,温度系数约为2-3A/°C。
3.发光强度分布
  一种在GaP基片上生成GaAsP的发光二极管的发光分布温度如图8所示,谱线宽度为400A,发射的角度宽度约为22°,500μW/sr。总之,发光二极管的幅通量是集中在一定角度内发射出去的。

4.光出射度
  图9表明几种半导体P-N结发射的光出射度与输入电流的关系。可见,GaAs1-xPx和Ga1-xAlxAs,半导体发光管具有良好的线性,其他两种则相当差。图10表明发光二极管输出的光通量强烈地依赖环境温度,使用时必须加以考虑。

5.响应时间

  发光二极管的响应时间是标志反应速度的一个重要参数,尤其在脉冲驱动或电调制时显得非常重要。响应时间是指注入电流后发光二极管启亮(上升)和熄灭(衰减)的时间。发光二极管的上升时间随着电流的增大近似的成指数地衰减。直接跃迁的材料如(GaAs1-xPx)的响应时间仅几个ns,而间接跃迁材料(如GaP)的响应时间则是100ns。
  发光二极管可利用交流供电或脉冲供电获得调制光或脉冲光,调制频率可高达几十兆赫。这种直接调制技术使发光二极管在相位测距仪、能见度仪及短距离通讯中得到应用。

6.寿命

  发光二极管的寿命一般很长,电流密度小于1A/cm2的情况下,寿命可达1000000小时,即可连续点燃一百多年。这是任何光源均无法与它竞争的。发光二极管的亮度随着工作时间的加长而衰退,这就是老化。老化的快慢与电流密度j和老化时间常数r有关。
  目前限于工艺水平,发光二极管发射的幅通量(功率)只有微瓦、毫瓦级,几十毫瓦的已很少见。随着大功率器件的出现,其应用的领域将会日益扩大。


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