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国外及地区半导体照明产业技术线图

LED之家  于2009-01-06 20:58:58  http://www.ledjia.com/ledhangye/viewarticle.php?id=235

文章摘要:From 中国半导体照明网(1) 美国   2001年7月在美国"半导体照明技术蓝图"的基础上,美国能源部启动一项名为“Next-Generation Lighting Initiative (NGLI)”计划,即“下一代照明计划”。这项计划提案的目标是...

From 中国半导体照明网

(1) 美国

  2001年7月在美国"半导体照明技术蓝图"的基础上,美国能源部启动一项名为“Next-Generation Lighting Initiative (NGLI)”计划,即“下一代照明计划”。这项计划提案的目标是要联合产业界、大学和国家重点实验室的力量,加速半导体照明技术的发展和应用。这项议案从2003-2011年财年,每年提供5000万美元支持NGLI计划的实施,目前NGLI议案已经开始实施。
美国能源部设立半导体照明国家研究项目,他们制定的时间表是:2002年20 lm/W,2007年75 lm/W,2012年150 lm/W。他们预计到2025年,固态照明光源的使用将使照明用电减少一半。从2000年到2020年,累计的功效和节约潜力就可以达到:减少2.58亿吨炭污染物的排出;少建133座新的电站,每座1000 MW;累计节约财政开支1150亿美元;形成一个新的每年产值超过500亿美元的光源产业,还会带来高质量的百万计的工作机会。具体见表3-5。

表3-5 美国半导体照明发展蓝图

技术指标

照明用LED2002

照明用
LED2007

照明用
LED 012

照明用
LED 012

白炽灯

荧光灯

发光效率(lm/W)

25

75

150

200

16

85

寿命(khr)

20

>20

>100

>100

1

10

光通量(lm/lamp)

25

200

1,000

1,500

1,200

3,400

输入功率 (W/lamp)

1

2.7

6.7

7.5

75

40

每千流明成本 ($/klm)

200

20

<5

<2

0.4

1.5

单灯成本 ($/lamp)

5

4

<5

<3

0.5

5

显色指数 (CRI)

75

80

>80

>80

95

75

可渗透的照明市场

低光通量要求领域

白炽灯

荧光灯

所有照明领域

(2) 日本

  日本21世纪照明计划是由日本金属研发中心(The Japan Research and Development Center of Metals)和新能源产业技术综合开发机构(NEDO)发起和组织的为期5年(1998-2004)的一个国家计划。这项计划的参与机构包括4所大学、13家公司和一个协会,目标旨在通过使用长寿命、更薄更轻的GaN高效蓝光和紫外LED技术使得照明的能量效率提高为传统荧光灯的两倍,减少CO2的产生。整个计划的财政预算为60亿日元。整个计划分为5个主要领域进行,即在衬底、外延片、制造装置、LED光源和LED光源的应用。该计划的技术路线图,其核心在于高质量材料的生长,高功率管芯的制备以及高效率白光荧光粉的获得。计划解决的问题包括:

  1. GaN基化合物半导体发光机理研究。
  2. UV LEDs的外延生长方法的改进。
  3. 大尺寸同质衬底生长。
  4. 开发近紫外激发的白光荧光粉,实现使用白光LED的照明光源。

  日本已经完成了“二十一世纪照明”发展计划的第一期目标,正在组织实施第二期计划,他们计划到2010年,LED的发光效率达到120 lm/W。

(3) 欧洲

  欧盟设立了多色光源的“彩虹计划”(Rainbow Project –AlInGaN for Multicolor Sources),成立了执行研究总暑,委托6个大公司和2个大学执行。

(4) 韩国

  韩国的“固态照明计划”经政府审议批准,2004-2008年国家投入1亿美元,企业提供30%的配套资金,近期开始实施,预期2008年达到80 lm/W。

  韩国政府组织里有2 个产业相关单位,一是主管工商业与能源的产业资源部以及主管财经的财政经济部。产业资源部表示,目前产业资源部光电相关发展有2 大计划,一是产业基础技术开发计划下之「GaN 光半导体」开发子计划,此一国家型计划时程自1999 年12 月起至2004 年11 月止为期5 年,总经费为200 亿韩元,政府与民间公司出资各占一半。研究项目包括以GaN 为研究材料之白光LED,蓝、绿光Laser Diode 及高功率电子组件HEMT三大领域,其中各三大领域之Leader 厂商分别由Knowledge*On、Samsung Advanced Institute of Technology 及LG Institute of Technology 负责进度管理。预期效果则期望在2006 年达到替代10 亿美元的进口GaN 相关产品。

  另一个光电发展计划为在光州市设立韩国光产业振兴会(KAPID),韩国光电技术研究院(KPTI)以及若干小型研究计划,发展时间自2000 年起至2003 年止为期4 年,总经费为4,020 亿韩元,由产业资源部与光州市政府及民间企业共同投资,其中KAPID 于2000 年5 月成立,负责光电产业之信息研究与推动,而KPTI 则专注在光电技术之研究开发,新建筑物及相关研究设备则预计2003 年才能全部完成。

(5)中国的台湾地区

  由台湾政府和工业技术研究院主导,于2002年9月积极协助岛内十一家LED厂商成立“下一代照明光源研发联盟”,进行高亮度白光LED的研究和开发,并结合照明系统业界,2002年10 月在台湾”经济部”能源委员会与台湾区照明灯具输出同业公会的进一步支持下成立”半导体照明产业推动联盟”,并在台湾政府支持下,建立”高亮度白光LED专案计划”,希望透过半导体和照明产业之联谊活动,整合照明节能系统产品与元组件技术,同时结合台湾政府科技发展资源,利用台湾在半导体产业所形成的优势,加速高效率LED照明技术的研发和普及应用,提升台湾照明相关技术水准及产业竞争力,并制定相关LED产业政策,以创造台湾半导体照明产业的竞争优势。

  台湾地区推动的“下一代照明光源开发计划”,投资约6-10亿新台币,2005年目标是40 lm/W的LED投入生产,而实验室目标为100 lm/W。


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