SOITEC与四联共同研发氮化镓晶片，提高LED生产效率

新兴的外延技术可提高LED的生产能力，并加速固态照明的渗透

世界领先的电子及能源产业的半导体材料生产和制造商SOITEC与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用HVPE技术制造氮化镓(GaN)达成了协议。GaN晶片模板在LED的生产中能大大降低成本。

双方的合作开发协议旨在使用四联的蓝宝石衬底和SOITEC独特的HVPE技术来验证GaN晶片模板生产的可行性并进行商业化生产。双方公司计划今年开始进行GaN晶片模板的样片生产。

负责开发HVPE技术的SOITEC副总裁兼美国菲尼克斯实验室总经理Chantal Arena称“我们计划使用验证过的硅外延设备，在加入我们开发的镓气体后，开发出一种高产能的HVPE设备。然后我们成功的研发出了一种具有快速生长特点的工艺，而且成本更低。这种新的工艺使得GaN模板比使用MOVPE的方式更具有成本的优势。

四联光电的COO David Reid说“四联光电很高兴能与SOITEC合作，并采用其HVPE技术通过我们在中国已建立的广泛的蓝宝石衬底市场，我们将会非常适合利用其技术优势，为我们的蓝宝石衬底客户提供高质量并能有效降低成本的模板”。

SOITEC的主席及CEO André-Jacques Auberton-Hervé说“HVPE技术的开发引入了一种新的商务模式，它能让LED制造商节约高达60%的MOVPE产能。现在LED制造商可以关注怎样提高LED发光层的生产了。除此新的商务模型之外，利用Arizona 的菲尼克斯实验室附属机构所获得的在LED外延生长方面的经验，我们也在寻找与四联开展LED照明领域方面的合作”。

四联光电的控股公司，中国四联仪器仪表集团的董事长向晓波先生指出“SOITEC和四联都具有互补的技术优势。因此我们希望在巨大的LED照明和材料市场中与SOITEC共同开展双赢的商务模式”。