【芯资讯】美光拟日本建厂、NAND闪存高价或维持

1.美光计划在日本建DRAM新厂，引入EUV光刻

据快科技引述日媒报道，美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，据称其最快2027年底便可投入营运。美光科技预计将投入6000至8000亿日元（约合51亿美元）。这座新厂将于2026年初动工，并安装EUV设备。

美光原本就有在日建厂的计划，最初曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前由于市场状况不佳，计划一度遭到搁置。而如今随着芯片市场回暖，尤其是人工智能热潮下DRAM需求火爆，美光科技又重新推动了这一计划。美光2013年收购了前DRAM大厂尔必达，在日本拥有超过4000名工程师和技术人员。

2.慧荣总经理：NAND闪存可维持高价一整年

据中国台湾工商时报消息，闪存控制芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章指出，AI带动内存需求大爆发，NAND原厂包括SK海力士、铠侠、西数扩产态度谨慎，预期NAND价格可持续维持在高档一整年。

苟嘉章指出，慧荣在AI时代，将与NAND大厂、模块厂商、云端供应服务大厂及服务器制造厂商，一起扮演AI推动者的角色。从3月开始，已看到市场对QLC 闪存的需求。NAND闪存报价一路往上，带动原厂毛利回升，在达到目标前，原厂扩产态度将非常谨慎，供给吃紧对其有利，预期下半年才会慢慢增加产能，以免漏失AI商机。

3.信通院：4 月国内市场手机出货量同比增长28.8%

据IT之家消息，中国信通院发布最新数据，2024年4月，国内市场手机出货量 2407.1万部，同比增长28.8%，其中5G手机2023.2万部同比增长52.2%，占同期手机出货量的84.1%；智能手机出货量2266.8 万部，同比增长25.5%，占同期手机出货量的94.2%。

来源：信通院

今年1-4 月，国内市场手机出货量9148.6 万部，同比增长12.3%，其中5G手机 7666.5万部，同比增长18.3%，占同期手机出货量的83.8%。智能手机出货量 8644.1万部，同比增长10.3%，占同期手机出货量的94.5%；智能手机上市新机型93款，同比下降29.0%，占同期手机上市新机型数量的71.5%。

4.集邦：预估第二季MLCC出货量季增6.8%达12345亿颗

据科创板日报消息，根据TrendForce集邦咨询观察，预期2024年第一季MLCC出货量应该是近三季谷底，第二季ODM手中订单除AI服务器需求稳步成长，其余消费性电子因传统季节性的招标项目需求低。

整体而言，受惠于来自AI服务器的订单需求支撑，以及ICT产品需求虽不见节庆备货的高成长，但仍较第一季维持低成长，助益产能稼动率逐渐回稳，因此预估第二季MLCC出货量将季增6.8%，达12,345亿颗，同步带动第二季营收呈现小幅成长。

5.iPhone降价效果显著，出货大增52%

据快科技消息，苹果在中国市场实施的史上最大降价策略，取得了显著成效。根据最新数据，4月份苹果iPhone在中国市场出货量同比增长52%，今年前两个月，iPhone在中国市场出货量曾出现下滑，但在3月份已经实现了增长。

分析师指出，随着消费者对升级新设备的兴趣增加，iPhone在中国市场的下滑趋势可能即将结束。调查中发现，超过一半的受访者表示愿意为下一部手机花费超过4000元人民币（约合550美元），而目前使用高端手机的受访者中只有33%。

6.英飞凌推出碳化硅MOSFET 400 V系列，面向AI服务器

英飞凌日前宣布推出新的CoolSiC MOSFET 400 V系列，该产品组合面向AI服务器的AC/DC阶段而开发，也是太阳能和储能系统、逆变器电机控制、工业和辅助电源以及住宅楼固态断路器的理想选择。

与现有的650V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的导通和开关损耗。在多级PFC中实现，AI服务器PSU的AC/DC级可以获得超过100 W/in³的功率密度，并被证明达到99.5%的效率。CoolSiC MOSFET 400 V产品组合的工程样品现已上市，并将于2024年10月开始批量生产。