此次推出的深紫外LED芯片采用了氮化物半导体,并结合使用同和电子拥有的在蓝宝石底板上高品质AlN成膜技术,以及美国帕洛阿尔托研究中心(Palo Alto Research Center)和理化学研究所的外延生长技术而实现的。
预定由同和的子公司——同和半导体秋田负责深紫外LED芯片的试制及量产。同和电子今后还考虑大力开发输出功率更高且波长更短的深紫外LED芯片。
由于含有可视光,因此看起来是蓝白色
同和电子开始样品供货深紫外LED芯片(图)
同和(DOWA)控股的子公司——同和电子生产的发光波长为300n～350nm的深紫外LED 芯片达到了实用水平,现已开始样品供货。输入电流为20mA时,发光波长320n～350nm的光输出功率可达1.4mW。“实现了该波长范围的全球最高水平输出功率”(同和控股)。该产品设想用于树脂硬化、粘接、干燥、医疗、各种分析、光触媒、水净化及杀菌等广泛用途。该公司表示,目前深紫外LED市场尚未成熟,不过通过建立深紫外LED供应体制,今后市场规模有望达到数百亿日元。
此次推出的深紫外LED芯片采用了氮化物半导体,并结合使用同和电子拥有的在蓝宝石底板上高品质AlN成膜技术,以及美国帕洛阿尔托研究中心(Palo Alto Research Center)和理化学研究所的外延生长技术而实现的。
预定由同和的子公司——同和半导体秋田负责深紫外LED芯片的试制及量产。同和电子今后还考虑大力开发输出功率更高且波长更短的深紫外LED芯片。
由于含有可视光,因此看起来是蓝白色
此次推出的深紫外LED芯片采用了氮化物半导体,并结合使用同和电子拥有的在蓝宝石底板上高品质AlN成膜技术,以及美国帕洛阿尔托研究中心(Palo Alto Research Center)和理化学研究所的外延生长技术而实现的。
预定由同和的子公司——同和半导体秋田负责深紫外LED芯片的试制及量产。同和电子今后还考虑大力开发输出功率更高且波长更短的深紫外LED芯片。
由于含有可视光,因此看起来是蓝白色
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